Amplificadores HBT MMIC

• Amplificadores MMIC de alta potencia VSAT y punto a punto
• Amplificadores MMIC de alta linealidad VSAT y punto a punto
• Amplificadores Driver de RF
• Amplificadores Microondas de onda progresiva
• Amplificadores Driver de Banda Ancha de Alta Linealidad
• Amplificadores de bajo ruido de banda ancha
• Amplificadores Driver de Alta Linealidad para WiMAX, WLAN 802.11ac, Car2X 802.11p

Amplificadores MMIC de bajo coste

• LNA y Amplificadores Driver para banda S, banda C y banda X
• Transistores MESFET de GaAs de bajo ruido
• Encapsulados SOT-89 y QFN de bajo costo
• Potencia de salida a 12 GHz: 27dBm a 33dBm
• Figura de ruido a 12GHz: 0.9dB a 3dB

Módulos híbridos

• Amplificadores híbridos drop-in miniatura
• Módulos de amplificador de bloques de ganancia estándar
• Módulos de amplificador de compensación de temperatura estándar
• Módulos reguladores de tensión estándar

GaAs FETs pHEMTs

• Dispositivos pHEMT GaAs de bajo ruido
• PHEMT de Onda Milimétrica
• PHEMT de Potencia Media y Alta
• PHEMT de Banda Ancha

Espacio y Alta Fiabilidad

• Más de 25 años de experiencia en Espacio y Alta Fiabilidad
• Ensamblaje, Prueba, Evaluación y Calificaciones
• Para Semiconductores, Componentes y Subsistemas de Microondas
• Screening de dispositivos de otros fabricantes: Qorvo (TriQuint, RFMD), Analog Devices (Hittite), Avago, M / A-COM, Mitsubishi, NEC, Sumitomo, Toshiba, Microsemi.

Amplificadores Conectorizados

• Amplificadores GaAs FET y pHEMT de Banda Estrecha
• Amplificadores pHEMT de Bajo Ruido
• FET de GaAs de Potencia Media
• Pruebas de Alta Fiabilidad

Amplificadores a medidas

• Encapsulado específico del cliente
• Múltiples Entradas y Salidas
• Limitadores de Potencia
• Filtrado interno y Gain Shaping
• Control de Ganancia y control de Potencia
• Seguimiento y Adecuación de Fase y Ganancia
• Pruebas de Alta Fiabilidad

Diodo Gunn

• Aplicaciones CW y en impulso
• Banda K(18-26.5 GHz)