Barry Industries  aus Massachusetts ist der führende Hersteller resistiver HF-Komponenten für Telekommunikation, Verteidigungstechnik und Medizintechnik. Barry Produkte stehen für höchste Qualität, die sichergestellt wird durch die vertikale Integration im Haus von der Entwicklung über alle Fertigungsschritte bis zum Funktionstest (HF bis 60GHz, Pulsleistungs- und Hochspannungstests) und High-Rel Screening für militärische und Raumfahrt-Anwendungen.

The ART of Passive Components:
Attenuators (HF-Dämpfungsglieder), Resistors (HF-Widerstände), Terminations (HF-Abschlusswiderstände)
auf Substraten wie Aluminiumoxid (Al2O3), Aluminiumnitrit (AlN) und Berylliumoxid (BeO).

Produktübersicht Passive Komponenten.
Hier können Sie den Barry-Katalog der resistiven Standardkomponenten herunterladen.
Auf Anfrage senden wir Ihnen gerne ein gedrucktes Exemplar.

HF-Dämpfungsglieder, HF-Abschwächer

Barry fertigt Hochfrequenz-Dämpfungsglieder als Chips, mit Anschlussfahnen und mit Flansch. 

HF-Dämpfungsglieder als Chips

• Größe von 0405 bis 3737
• in T- oder Pi-Konfiguration
• Dämpfungswerte 0dB, 1dB, 2dB, 3dB, 5dB, 6dB, 10dB, 20dB, 25dB, 30dB, 32dB
• Frequenzbereich bis 30GHz in Größe 0904
• als Flip-Chip Dämpfungsglied für das Drahtbonden
• als symmetrisches Pi-Dämpfungsglied bis 150W Verlustleistung

HF-Dämpfungsglieder mit Anschlussfahnen

• HF-Dämpfungsglieder mit Anschlussfahnen auf AlN und BeO Substraten bis 4GHz oder 250W
• Dämpfungswerte 0dB, 1dB, 2dB, 3dB, 5dB, 6dB, 10dB, 20dB, 25dB, 30dB

HF-Dämpfungsglieder mit Metallflansch

• HF-Dämpfungsglieder mit versilbertem Kupfer-Flansch
• mit Aluminiumnitrit (AlN) Substrat bis 800W
• mit Berylliumoxid (BeO) Substrat bis 3000W
• neues Highlight: 30dB Dämpfung, bis 800W bei 4,5GHz
  
• Dämpfungswerte 0,5dB, 1dB, 1,5dB, 2dB, 2,5dB, 3dB, 4dB, 5dB, 6dB, 10dB, 15dB, 20dB, 25dB, 30dB, 31dB

HF-Widerstände für hohe Frequenzen und hohe Leistungen

Dickschicht-Hochfrequenz-Chipwiderstände von Barry

• SMD-Widerstände in Größen von 0201 bis 5050
• Widerstandswerte von 0,1Ohm bis 1GOhm, auch Null-Ohm-SMD-Brücken
• Toleranzen bis 1%
• Temperaturbereich -55°C bis 150°C
• zum Löten, Drahtbonden oder Epoxy-Kleben
• verschiedene Anschlusskonfigurationen von full wraparound bis single-sided
• auf Aluminiumoxid (Al2O3) Substrat bis 80W CW-Verlustleistung
• auf Aluminiumnitrit (AlN) Substrat bis 270W CW-Verlustleistung
• auf Berylliumoxid (BeO) Substrat bis 400W CW-Verlustleistung

Nichtmagnetische Dickschicht-Chipwiderstände für MRT

• nichtmagnetische SMD-Widerstände in Größen von 0202 bis 5050
• auf Al2O3, AlN, oder BeO, Widerstandswerte und Verlustleistung wie oben
• zum Löten oder Epoxy-Kleben
• RoHS konforme Palladium-Silber Anschlüsse
• auf Aluminiumnitrit (AlN) Substrat bis 270W CW-Verlustleistung
• auf Berylliumoxid (BeO) Substrat bis 150W CW-Verlustleistung

Broschüre nichtmagnetische Chipwiderstände

Flip Chip Widerstände für höchste Frequenzen bis 60GHz

• Flip-Chip-Widerstände in Größen von 0201 bis 2335, bis 50W Verlustleistung
• mit Rückenmetallisierung in Größen von 0402 bis 5050, bis 400W Verlustleistung
• Montage single-sided für Drahtbonden oder mit Anschlüssen nach unten für Löten oder Kleben
• Metallisierungen: Gold, Zinn-Blei über Nickel-Gold, Zinn über Nickel-Gold oder Gold auf PtPdAU

Dickschicht-Hochfrequenz-Widerstände mit Flansch für hohe Leistungen

• niedrige parasitäre Kapazitäten
• Widerstandswerte 1Ohm bis 1kOhm
• Temperaturbereich -55°C bis 150°C
• Standard-Toleranz ±5%
• auf BeO 20W bis 1200W CW-Leistung
• auf AlN 10W bis 250W CW-Leistung
• alle sind RoHS konform

Dickschicht-Widerstände mit Anschlussfahnen für hohe Leistungen

• auf Aluminiumnitrid (AlN) bis 150W, auf Berylliumoxid (BeO) bis 200W
• Standard-Widerstandswerte 50Ω oder 100Ω, Varianten von 0,5Ω bis 20kΩ
• Toleranzen bis 1%
• Temperaturbereich -55°C bis 150°C
• Anschlussfahnen aus versilbertem Kupfer

HF-Abschlusswiderstände

Barry fertigt Hochfrequenz-Abschlusswiderstände als Chips, mit Anschlussfahnen und mit Flansch. 

HF-Abschlusswiderstände als Chips

in Größen von 0202 bis 3737, bis 60GHz oder mit Verlustleistung bis 250W

HF-Abschlusswiderstände mit Anschlussfahnen

auf AlN und BeO Substraten gibt es ebenfalls bis 250W

HF-Abschlusswiderstände mit versilbertem Kupfer-Flansch

auf AlN bis 800W, auf BeO bis 1750W

Kupfer-Wolfram Flansch für höchste Zuverlässigkeit

Für Anwendungen, die höchste Zuverlässigkeit im Pulsbetrieb von Leistungsverstärkern oder bei starken Temperaturschwankungen erfordern, hat Barry spezielle Bauteile mit Kupfer-Wolfram (CuW) Flansch entwickelt. Diese Application Note erklärt die Vorteile im Pulsbetrieb.

Auf die speziellen Anforderungen an Widerstände für gepulste Anwendungen geht diese Veröffentlichung ein.

Kundenspezifische keramische Komponenten

Barry entwickelt und fertigt kundenspezifische keramische Komponenten, mit und ohne resistive Elemente und Metallflansche. Hier finden Sie die Design Guidelines für keramische Komponenten.

Beispiele:
wassergekühlter HF-Abschlusswiderstand mit 5kW Verlustleistung

keramischer Mikrokanal-Kühler (Bild rechts)

Kundenspezifische Dickschicht-Substrate für Hochfrequenz- und High-Rel-Anwendungen

Barry fertigt nach Kundenvorgaben präzise Dickschicht-Substrate für Anwendungen in der Hochfrequenztechnik (z.B. 5G Mikrowellenschaltungen), in der Raumfahrt und für militärische Anwendungen. Beispiele dafür sehen Sie hier.

Barry führt auch Qualifikationen für Luft- und Raumfahrt durch.

QFN-Gehäuse für Hochfrequenz- und Mikrowellenanwendungen

Barry hat hermetisch dichte QFN-Gehäuse entwickelt

• aus Aluminiumoxidkeramik (Al2O3, Alumina) und Aluminiumnitrid (AlN)
• nach JEDEC-Standard
• für Mikrowellen- und Millimeterwellenanwendungen bis 40GHz
• geringe Verluste (Einfügedämpfung): DC bis 18GHz: 0,5dB; 18GHz bis 35GHz: 1,5dB
• RoHS konform
• kundenspezifische Versionen ab einigen tausend Stück

Produktübersicht keramische QFN-Gehäuse.

Hier die Übersicht der QFN-Standardgehäuse:

Größe (quadratisch)	Anzahl Anschlüsse	Konfiguration	JEDEC MO-220 Typ	Modellbezeichnung (Datenblatt)
3mm	12	Bare Seal Ring	VEED-5	QFN-3312-0500
3mm	12	Grounded Seal Ring	VEED-5	QFN-3312-0501
3mm	12	Castellated Grounded Seal Ring	VEED-5	QFN-3312-0502
4mm	20	Bare Seal Ring	VGGD-5	QFN-4420-0500
4mm	20	Grounded Seal Ring	VGGD-5	QFN-4420-0501
4mm	20	Castellated Grounded Seal Ring	VGGD-5	QFN-4420-0502
5mm	32	Bare Seal Ring	VHHD-5	QFN-5532-0500
5mm	32	Grounded Seal Ring	VHHD-5	QFN-5532-0501
5mm	32	Castellated Grounded Seal Ring	VHHD-5	QFN-5532-0502
6mm	36	Bare Seal Ring	VJJD-5	QFN-6636-0500
6mm	36	Grounded Seal Ring	VJJD-5	QFN-6636-0501
6mm	36	Castellated Grounded Seal Ring	VJJD-5	QFN-6636-0502
7mm	44	Bare Seal Ring	VKKD-5	QFN-7744-0500
7mm	44	Grounded Seal Ring	VKKD-5	QFN-7744-0501
7mm	44	Castellated Grounded Seal Ring	VKKD-5	QFN-7744-0502
8mm	48	Bare Seal Ring	VLLD	QFN-8848-0500
8mm	48	Grounded Seal Ring	VLLD	QFN-8848-0501
8mm	48	Castellated Grounded Seal Ring	VLLD	QFN-8848-0502