Barry Industries fabrica componentes RF pasivos et
resistivos para Aplicaciones de Comunicaciones, de Defensa y Médica. Los
productos de Barry cumplen con los estándares de calidad más altos
garantizados por la integración vertical de todos los procesos desde el
desarrollo, pasando por todos los pasos de producción hasta las pruebas
funcionales (RF hasta 60 GHz, potencia pulsada y alta tensión) y las pruebas
High-Rel para aplicaciones espaciales y de defensa.
The ART of Passive RF Components:
Attenuators (atenuadores RF), Resistors (resistencias RF), Terminations (terminaciones RF) de Nitruro de Aluminio (AlN) y de Óxido de Berilio (BeO).
Descargar el folleto de los componentes pasivos de Barry.
Descargar el catálogo completo de los componentes resistivos estándares de Barry
Ver nota de aplicación.
Exigencias en aplicaciones de alta potencia emitida en impulsos (ver publicación).
Ver parámetros técnicos de los componentes cerámicos a medida.
Ejemplos:
Terminación RF enfriada por agua con disipación de potencia de 5 kW
Enfriador de micro canales en cerámica (imagen a la derecha)
Ver ejemplos más abajo:
Barry hace calificaciones para aplicaciones espaciales.
The ART of Passive RF Components:
Attenuators (atenuadores RF), Resistors (resistencias RF), Terminations (terminaciones RF) de Nitruro de Aluminio (AlN) y de Óxido de Berilio (BeO).
Descargar el folleto de los componentes pasivos de Barry.
Descargar el catálogo completo de los componentes resistivos estándares de Barry
Atenuadores RF
Atenuadores RF en chip
- atenuador SMD en formato de 0405 a 3737
- configuración T o Pi
- atenuaciones: 0dB, 1dB, 2dB, 3dB, 5dB, 6dB, 10dB, 20dB, 25dB, 30dB, 32dB
- rango de frecuencias hasta 30 GHz en formato 0904
- atenuador «Flip-Chip» para bonding con hilo
- atenuador Pi simétrico con una potencia máxima de disipación de 150W
Atenuadores RF con patilla (leaded)
- atenuadores RF con patilla: substratos AlN y BeO hasta 4GHz o 250W
- atenuación: 0dB, 1dB, 2dB, 3dB, 5dB, 6dB, 10dB, 20dB, 25dB, 30dB
Atenuadores RF con brida (with Flange)
- atenuadores RF con brida de Cobre-Plata
- con substrato de AlN hasta 800W
- con substrato de BeO hasta 3000W
- Destacado: atenuación de 30 dB, hasta 800 W a 4,5 GHz
- atenuaciones: 0.5dB, 1dB, 1.5dB, 2dB, 2.5dB, 3dB, 4dB, 5dB, 6dB, 10dB, 15dB, 20dB, 25dB, 30dB, 31dB
Resistencias RF par altas Frecuencias y altas Potencias
Resistencias RF de capa gruesa (thick film)
- resistencia chip de baja capacidad con dimensiones de 0201 a 5050
- resistencias desde 0.1 Ohm hasta 1 GOhm, Puentes 0 Ohm (Jumper)
- tolerancias hasta 1%
- rango de temperatura -55°C a 150°C
- conectable por soldadura, por wire bonding o por Epoxy
- terminaciones varias desde envolvente a de un solo lado
- sobre substrato de Alúmina (Al2O3) hasta 80W CW de disipación de potencia
- sobre substrato de Nitruro de Aluminio (AlN) hasta 270W CW de
disipación de potencia
- sobre substrato de óxido de berilio (BeO) hasta 800W CW de disipación de potencia
Resistencias Non-magnética de capa gruesa (thick film) para MRI
- resistencias SMD non magnéticas, dimensiones desde 0202 hasta 5050
- sobre substrato de Al2O3, AlN, or BeO, mismas valores y disipación de potencia que más arriba
- fijación por soldadura o Epoxy
- las terminaciones Paladio-Plata cumplen con la directiva RoHS
- sobre substrato de Nitruro de Aluminio (AlN) hasta 270W CW de disipación de potencia
- sobre substrato de Óxido de Berilio (BeO) hasta 150W CW de disipación de potencia
Resistencias Flip Chip para altas Frecuencias hasta 60 GHz
- resistencias Flip-chip en formato 0201 a 2335, hasta 50W de potencia de disipación
- con metalización trasera en formato 0402 a 5050, hasta 400W de potencia de disipación
- de un solo lado para bonding o boca abajo para soldadura o fijación con Epoxy
- metalizaciones: Oro, Estaño-Plomo sobre Níquel-Oro, Estaño sobre Níquel-Oro u Oro sobre PtPdAU
Resistencia de capa gruesa con brida (flange) para altas Potencias RF
- valores bajos de capacitancia parásita
- valores de resistencia de 1 Ohm hasta 1 kOhm
- rango de temperatura: -55°C a 150°C
- tolerancias estándares ±5%
- sobre BeO 20W hasta una potencia de 1200W CW
- sobre AlN 10W hasta una potencia de 250W CW
- cumplen con la normativa RoHS
Resistencia de capa gruesa con patilla (leaded) para altas Potencias RF
- sobre Nitruro de Aluminio (AlN) hasta 150W, sobre Óxido de Berilio (BeO) hasta 200W
- valores estándares de resistencia 50Ω o 100Ω, algunos modelos disponibles de 0.5Ω a 20kΩ
- tolerancia estándar 1%
- rango de temperatura -55°C a 150°C
- las patillas son de Cobre revestido de Plata
Terminaciones RF
Barry fabrica terminaciones RF en formato chip (SMD), con patilla (leaded) o con brida (flanged).Terminaciones RF en chip
formato 0202 a 3737 hasta 60GHz y una potencia máxima de disipación de 250WTerminaciones RF con patilla
sobre substratos AlN y BeO y una potencia máxima de disipación de 250WTerminaciones RF con brida de Cobre revestido de Plata
sobre substrato AlN hasta 800W o sobre substrato BeO hasta 1750WBrida en Cobre Tungsteno para una Fiabilidad Máxima
Para las aplicaciones que requieran la máxima fiabilidad en el funcionamiento de amplificadores de potencia en señales de impulsos o en caso de fuertes cambios de temperaturas, Barry ha desarrollado bridas especificas en cobre tungsteno (CuW).Exigencias en aplicaciones de alta potencia emitida en impulsos (ver publicación).
Componentes cerámicos a medida
Barry diseña y fabrica componentes cerámicos a medida, con o sin elemento resistivo.Ver parámetros técnicos de los componentes cerámicos a medida.
Ejemplos:
Terminación RF enfriada por agua con disipación de potencia de 5 kW
Enfriador de micro canales en cerámica (imagen a la derecha)
Componentes de capa gruesa a medida para Aplicaciones Microondas y Alta Fiabilidad
Barry fabrica productos de capa gruesa precisos para aplicaciones RF (e.g. circuitos microondas 5G), de Defensa y Espaciales en función del diseño del cliente.Barry hace calificaciones para aplicaciones espaciales.
Encapsulados QFN para Aplicaciones RF y Microondas
Barry ha desarrollado encapsulados QFN herméticos- Alúmina (Al2O3) o Nitruro de Aluminio (AIN)
- encapsulado JEDEC MO-220
- para las aplicaciones de microondas y de ondas milimétricas hasta 40 GHz
- bajo nivel de pérdidas por inserción: DC a 18GHz: 0.5dB; de 18GHz hasta 35GHz: 1.5dB
- acorde con la normativa RoHS
- componentes a medida a partir de unos cuantos miles de piezas
Size (quadratic) |
Pins | Configuration | JEDEC MO-220 type |
Model No. (data sheet) |
---|---|---|---|---|
3mm | 12 | Bare Seal Ring | VEED-5 | QFN-3312-0500 |
3mm | 12 | Grounded Seal Ring | VEED-5 | QFN-3312-0501 |
3mm | 12 | Castellated Grounded Seal Ring |
VEED-5 | QFN-3312-0502 |
4mm | 20 | Bare Seal Ring | VGGD-5 | QFN-4420-0500 |
4mm | 20 | Grounded Seal Ring | VGGD-5 | QFN-4420-0501 |
4mm | 20 | Castellated Grounded Seal Ring |
VGGD-5 | QFN-4420-0502 |
5mm | 32 | Bare Seal Ring | VHHD-5 | QFN-5532-0500 |
5mm | 32 | Grounded Seal Ring | VHHD-5 | QFN-5532-0501 |
5mm | 32 | Castellated Grounded Seal Ring |
VHHD-5 | QFN-5532-0502 |
6mm | 36 | Bare Seal Ring | VJJD-5 | QFN-6636-0500 |
6mm | 36 | Grounded Seal Ring | VJJD-5 | QFN-6636-0501 |
6mm | 36 | Castellated Grounded Seal Ring |
VJJD-5 | QFN-6636-0502 |
7mm | 44 | Bare Seal Ring | VKKD-5 | QFN-7744-0500 |
7mm | 44 | Grounded Seal Ring | VKKD-5 | QFN-7744-0501 |
7mm | 44 | Castellated Grounded Seal Ring |
VKKD-5 | QFN-7744-0502 |
8mm | 48 | Bare Seal Ring | VLLD | QFN-8848-0500 |
8mm | 48 | Grounded Seal Ring | VLLD | QFN-8848-0501 |
8mm | 48 | Castellated Grounded Seal Ring |
VLLD | QFN-8848-0502 |